面向5G N79频段的声表面波（SAW）射频滤波器方案

　　绞孔波纹管座卷管器机械磨损低压法兰插座当量齿轮凯发ag平台耦合振型砌砖刀器件的工作频率瓶颈，核心在于在相同的特征尺寸下激发更高声速的声学模式。得益于）受到学术界长期关注。然而，常规的压电体材料或硅基压电异质衬底，由于支撑衬底声速偏低无法形成良好的声波导效应，进而导致

　　本工作中，上海微系统所异质集成XOI课题组利用“万能离子刀”剥离和转移技术，制备了6英寸的高质量SiC基单晶LiNbO3薄膜，全面梳理分析了LL-SAW器件的设计要点，并研制了大于4GHz的高Q值LL-SAW谐振器和面向N79频段的大带宽、低插损滤波器。

　　图1对比了3种压电异质衬底的谐振器响应和截面振型图，可看出材料中同时激发了低频的SH和高频的LL两种谐振响应。衬底材料的声速直接决定了电导曲线中截止频率（cut-off frequency）的位置，当截止频率高于模式频率，才可实现良好的声波导效应。对于（b）图中的蓝宝石基异质衬底，截止频率位于SH和LL二者之间，则SH模式的衰减因子δ几乎为0，而LL模式仍存在0.18dB/λ的衰减；而当采用体波声速高达7.1km/s的SiC衬底时（图c），截止频率高于LL模式，因此LL模式的衰减因子亦接近为0。

　　图1 基于（a）体单晶、（b）蓝宝石基LiNbO3薄膜、（c）SiC基LiNbO3薄膜的SAW谐振器仿线展示了一组所制备的LL-SAW谐振器实测曲线。LL-SAW谐振器可在4GHz的工作频率下实现60dB的阻抗比和接近20%的机电耦合系数，是传统SH模式频率的1.7倍。

　　SiC衬底的异质集成，有效地激发了极高声速、大带宽的LL-SAW模式，突破传统SAW器件的频率瓶颈，在国际上首次利用SAW技术实现高性能5G N79频段滤波器，技术相关专利已获得中、美两国专利授权。后续本团队将进一步提升材料、器件的性能，推动SiC基LL-SAW技术在5G、Wi-Fi 6频段的规模化应用，为国内滤波器产业换道超车发展提供全新思路。5原文传递文章链接：

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